FET Nitrure de gallium (GaN) | Farnell® France

Trouvez une vaste gamme de FET Nitrure de gallium (GaN) dans Farnell® France. Nous stockons une large sélection de FET Nitrure de gallium (GaN), y compris les produits nouveaux et les plus populaires des plus grands fabricants mondiaux , notamment : Infineon, Renesas, Nexperia, Rohm & Nxp.

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IGLD60R190D1AUMA1	3407386 Data Sheet RoHS	INFINEON Transistor Nitrure de gallium (GaN) 600 V 10 A 0.14 ohm 3.2 nC PG-LSON-8-1	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 5,280 € 10+ 4,980 € 100+ 4,680 € 500+ 4,340 € 1000+ 3,670 €	Min : 1 / Mult : 1	600V	10A	0.14ohm	-	3.2nC	PG-LSON-8-1	Montage en surface	8Broche(s)	CollGaN-Series	-
IGLD60R190D1AUMA1	3407386RL Data Sheet RoHS	INFINEON Transistor Nitrure de gallium (GaN) 600 V 10 A 0.14 ohm 3.2 nC PG-LSON-8-1	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 4,980 € 100+ 4,680 € 500+ 4,340 € 1000+ 3,670 €	Min : 10 / Mult : 1	600V	10A	0.14ohm	0.14ohm	3.2nC	PG-LSON-8-1	Montage en surface	8Broche(s)	CollGaN-Series	-
GAN041-650WSBQ	3759053 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 47.2 A 0.041 ohm 22 nC TO-247 Traversant	Pièce	1+ 15,520 € 5+ 14,690 € 10+ 13,860 € 50+ 12,400 € 100+ 10,930 € Plus de tarifs	Min : 1 / Mult : 1	650V	47.2A	0.041ohm	-	22nC	TO-247	Traversant	3Broche(s)	-	-
GAN140-650FBEZ	4198479RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 17 A 0.106 ohm 3.5 nC DFN5060 Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 3,770 € 500+ 3,640 € 1000+ 3,460 €	Min : 100 / Mult : 1	650V	17A	0.106ohm	-	3.5nC	DFN5060	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN190-650EBEZ	4198481RL Data Sheet RoHS	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 11.5 A 0.138 ohm 2.8 nC DFN8080	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 2,670 € 500+ 2,510 € 1000+ 2,320 €	Min : 100 / Mult : 1	650V	11.5A	0.138ohm	-	2.8nC	DFN8080	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN190-650FBEZ	4198482RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 11.5 A 0.138 ohm 2.8 nC DFN5060	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 2,720 € 500+ 2,300 € 1000+ 2,130 €	Min : 100 / Mult : 1	650V	11.5A	0.138ohm	-	2.8nC	DFN5060	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN3R2-100CBEAZ	4198483RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 100 V 60 A 0.0024 ohm 9.2 nC WLCSP Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 2,190 € 500+ 2,060 € 1000+ 1,600 €	Min : 100 / Mult : 1	100V	60A	0.0024ohm	-	9.2nC	WLCSP	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN3R2-100CBEAZ	4198483 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 100 V 60 A 0.0024 ohm 9.2 nC WLCSP Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 4,560 € 10+ 3,050 € 100+ 2,190 € 500+ 2,060 € 1000+ 1,600 €	Min : 1 / Mult : 1	100V	60A	0.0024ohm	-	9.2nC	WLCSP	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN080-650EBEZ	4198478RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 29 A 0.06 ohm 6.2 nC DFN8080 Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 6,470 € 50+ 6,410 € 100+ 6,080 € 250+ 5,960 €	Min : 10 / Mult : 1	650V	29A	0.06ohm	-	6.2nC	DFN8080	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN140-650FBEZ	4198479 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 17 A 0.106 ohm 3.5 nC DFN5060 Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 4,170 € 10+ 3,900 € 100+ 3,770 € 500+ 3,640 € 1000+ 3,460 €	Min : 1 / Mult : 1	650V	17A	0.106ohm	-	3.5nC	DFN5060	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN080-650EBEZ	4198478 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 29 A 0.06 ohm 6.2 nC DFN8080 Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 6,540 € 5+ 6,510 € 10+ 6,470 € 50+ 6,410 € 100+ 6,080 € Plus de tarifs	Min : 1 / Mult : 1	650V	29A	0.06ohm	-	6.2nC	DFN8080	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN140-650EBEZ	4198480RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 17 A 0.106 ohm 3.5 nC DFN8080 Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 3,900 € 500+ 3,510 € 1000+ 3,360 €	Min : 100 / Mult : 1	650V	17A	0.106ohm	-	3.5nC	DFN8080	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN190-650FBEZ	4198482 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 11.5 A 0.138 ohm 2.8 nC DFN5060	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 2,800 € 10+ 2,780 € 100+ 2,720 € 500+ 2,300 € 1000+ 2,130 €	Min : 1 / Mult : 1	650V	11.5A	0.138ohm	-	2.8nC	DFN5060	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN190-650EBEZ	4198481 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 11.5 A 0.138 ohm 2.8 nC DFN8080	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 2,890 € 10+ 2,820 € 100+ 2,670 € 500+ 2,510 € 1000+ 2,320 €	Min : 1 / Mult : 1	650V	11.5A	0.138ohm	-	2.8nC	DFN8080	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
GAN140-650EBEZ	4198480 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 17 A 0.106 ohm 3.5 nC DFN8080 Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 5,220 € 10+ 4,620 € 100+ 3,900 € 500+ 3,510 € 1000+ 3,360 €	Min : 1 / Mult : 1	650V	17A	0.106ohm	-	3.5nC	DFN8080	Montage en surface	8Broche(s)	-	-
IGL65R110D2XUMA1	4732103 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 16 A 0.14 ohm 2.4 nC TSON Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 4,990 € 10+ 3,250 € 100+ 2,350 € 500+ 2,030 € 1000+ 1,800 €	Min : 1 / Mult : 1	650V	16A	0.14ohm	-	2.4nC	TSON	Montage en surface	8Broche(s)	CoolGaN G5 Series	0
IGLR65R140D2XUMA1	4573839RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 13 A 0.17 ohm 1.8 nC TSON Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 1,800 € 500+ 1,500 € 1000+ 1,350 €	Min : 100 / Mult : 1	650V	13A	0.17ohm	-	1.8nC	-	-	8Broche(s)	-	-
GS0650086LTRXUMA1	4715945RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Transistor Nitrure de gallium (GaN) 700 V 8.8 A 0.235 ohm 1.6 nC PDFN Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	1+ 3,800 € 10+ 3,190 € 100+ 2,720 € 500+ 2,450 € 1000+ 2,160 €	Min : 1 / Mult : 1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IGLT65R045D2ATMA1	4573848 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 38 A 0.054 ohm 6 nC HDSOP Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 7,670 € 5+ 6,540 € 10+ 5,410 € 50+ 4,960 € 100+ 4,510 € Plus de tarifs	Min : 1 / Mult : 1	650V	38A	0.054ohm	-	6nC	HDSOP	Montage en surface	16Broche(s)	CoolGaN G5 Series	0
TP65H100G4LSGB-TR	4680951RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	RENESAS Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 18.9 A 0.11 ohm 14.4 nC PQFN Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 3,730 € 500+ 3,040 € 1000+ 2,770 €	Min : 100 / Mult : 1	650V	18.9A	0.11ohm	-	14.4nC	-	-	8Broche(s)	-	-
GS0650146LMRXUSA1	4715957 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Transistor Nitrure de gallium (GaN) 700 V 15.2 A 0.138 ohm 2.7 nC PDFN Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 5,550 € 10+ 4,670 € 100+ 3,970 € 500+ 3,580 € 1000+ 3,160 €	Min : 1 / Mult : 1	700V	15.2A	0.138ohm	-	2.7nC	PDFN	Montage en surface	8Broche(s)	-	0
GS61008TMRXUSA1	4715934 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Transistor Nitrure de gallium (GaN) 100 V 90 A 0.0095 ohm 8 nC GaNPX Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées	1+ 9,880 € 5+ 8,210 € 10+ 6,830 € 50+ 6,180 € 100+ 5,470 € Plus de tarifs	Min : 1 / Mult : 1	100V	90A	0.0095ohm	-	8nC	GaNPX	Montage en surface	4Broche(s)	-	0
IGT65R025D2ATMA1	4695746RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 70 A 0.03 ohm 11 nC HSOF Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 9,130 € 50+ 8,370 € 100+ 7,600 € 250+ 7,450 €	Min : 10 / Mult : 1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TP65H035G4QS-TR	4371961RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	RENESAS Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 46.5 A 0.041 ohm 22 nC TOLL Montage en surface	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 8,340 € 50+ 8,280 € 100+ 8,210 € 250+ 8,140 €	Min : 10 / Mult : 1	650V	46.5A	0.041ohm	-	22nC	TOLL	Montage en surface	8Broche(s)	SuperGaN Series	-
TP65H050G4YS	4371968 Data Sheet RoHS	RENESAS Transistor Nitrure de gallium (GaN) 650 V 35 A 0.06 ohm 16 nC TO-247 Traversant	Pièce	1+ 11,680 € 5+ 10,390 € 10+ 9,090 € 50+ 8,540 € 100+ 7,990 € Plus de tarifs	Min : 1 / Mult : 1	650V	35A	0.06ohm	-	16nC	TO-247	Traversant	4Broche(s)	SuperGaN Series	-