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GAN080-650EBEZ
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 10+ | 6,380 € |
| 50+ | 6,220 € |
| 100+ | 6,050 € |
| 250+ | 5,930 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
Multiple: 1
68,80 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN080-650EBEZ
Code Commande4198478RL
Fiche technique
Tension Vds max..650V
Courant de drain Id29A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.06ohm
Charge de porte Typique6.2nC
Type de boîtier de transistorDFN8080
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches8Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.06ohm
Type de boîtier de transistor
DFN8080
Nombre de broches
8Broche(s)
Qualification
-
Courant de drain Id
29A
Charge de porte Typique
6.2nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000012
Traçabilité des produits