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GAN190-650EBEZ
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,890 € |
| 10+ | 2,820 € |
| 100+ | 2,670 € |
| 500+ | 2,510 € |
| 1000+ | 2,320 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN190-650EBEZ
Code Commande4198481
Fiche technique
Tension Vds max..650V
Courant de drain Id11.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.138ohm
Charge de porte Typique2.8nC
Type de boîtier de transistorDFN8080
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches8Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.138ohm
Type de boîtier de transistor
DFN8080
Nombre de broches
8Broche(s)
Qualification
-
Courant de drain Id
11.5A
Charge de porte Typique
2.8nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000012