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GS0650146LMRXUSA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,540 € |
| 5+ | 4,290 € |
| 10+ | 4,020 € |
| 50+ | 3,900 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS0650146LMRXUSA1
Code Commande4715957
Fiche technique
Tension Vds max..700V
Courant de drain Id15.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.138ohm
Charge de porte Typique2.7nC
Type de boîtier de transistorPDFN
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches8Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
700V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.138ohm
Type de boîtier de transistor
PDFN
Nombre de broches
8Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
15.2A
Charge de porte Typique
2.7nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001