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IGLT65R045D2ATMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLT65R045D2ATMA1
Code Commande4573848
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Egalement appeléIGLT65R045D2, SP005918712
Fiche technique
1 300 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 10,550 € |
| 5+ | 9,630 € |
| 10+ | 8,700 € |
| 50+ | 7,860 € |
| 100+ | 6,970 € |
| 250+ | 6,760 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
10,55 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLT65R045D2ATMA1
Code Commande4573848
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Egalement appeléIGLT65R045D2, SP005918712
Fiche technique
Tension Vds max..650V
Courant de drain Id38A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.054ohm
Charge de porte Typique6nC
Type de boîtier de transistorHDSOP
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches16Broche(s)
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.054ohm
Type de boîtier de transistor
HDSOP
Nombre de broches
16Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
38A
Charge de porte Typique
6nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits