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GAN140-650FBEZ
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,170 € |
| 10+ | 3,900 € |
| 100+ | 3,770 € |
| 500+ | 3,640 € |
| 1000+ | 3,460 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN140-650FBEZ
Code Commande4198479
Fiche technique
Tension Vds max..650V
Courant de drain Id17A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.106ohm
Charge de porte Typique3.5nC
Type de boîtier de transistorDFN5060
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches8Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.106ohm
Type de boîtier de transistor
DFN5060
Nombre de broches
8Broche(s)
Qualification
-
Courant de drain Id
17A
Charge de porte Typique
3.5nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000833
Traçabilité des produits