C2M1000170D
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
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Produits de remplacement pour C2M1000170D
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Aperçu du produit
Le C2M1000170D de Cree est un MOSFET de puissance Z-FET de 2ème génération, traversant, carbure de silicium à canal N dans un boîtier TO-247. Ce MOSFET comprend la technologie C2M SiC MOSFET, une tension de blocage élevée avec une faible résistance On, une commutation à grande vitesse avec de faibles capacités, une mise en parallèle facile et simple à conduire, une robustesse en avalanche, une capacité de grille de drain ultra faible, une efficacité du système plus élevée, des exigences de refroidissement réduites et un système accru fiabilité. Les applications incluent les alimentations auxiliaires, les alimentations à découpage et les charges capacitives haute tension.
- Tension Drain/Source (Vds) de 1,7kV
- Courant de drain continue de 5A
- Dissipation de puissance de 69W
- Température de jonction de fonctionnement de -55°C à 150°C
- Faible résistance On state de 1ohm avec Vgs de 20V
Spécifications techniques
Simple
4.9A
0.95ohm
3Broche(s)
2.4V
150°C
-
Canal N
1.7kV
TO-247
20V
69W
-
No SVHC (15-Jan-2019)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
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RoHS
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