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SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2302CDS-T1-GE3
Code Commande2524651
Fiche technique
Type de canalN Channel
Tension Vds max..20V
Courant de drain Id2.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.045ohm
Type de boîtier de transistorTO-236
Montage transistorSurface Mount
Tension de test Rds(on)2.5V
Tension de seuil Vgs Max850mV
Dissipation de puissance710mW
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Courant de drain Id
2.9A
Type de boîtier de transistor
TO-236
Tension de test Rds(on)
2.5V
Dissipation de puissance
710mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.045ohm
Montage transistor
Surface Mount
Tension de seuil Vgs Max
850mV
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :0