Transistors MOSFET Simple

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Min. / Max. Courant de drain Id
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Min. / Max. Type de boîtier de transistor
Min. / Max. Montage transistor
Min. / Max. Tension, mesure Rds
Min. / Max. Tension de seuil Vgs
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  Réf. Fabricant : Code Commande Description / Fabricant
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Prix
Quantité
Polarité transistor Tension Vds max.. Courant de drain Id Résistance Rds(on) Type de boîtier de transistor Montage transistor Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
SI2302CDS-T1-GE3
SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Montage en surface

1684049

MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1684049
1684049RL en Mise en bobine

1+ 0,541 € 10+ 0,397 € 100+ 0,263 € 500+ 0,216 € 1000+ 0,152 € 5000+ 0,148 € Plus de tarifs

Article restreint

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Min: 1 Mult: 1
Canal N 20V 2.9A 0.045ohm TO-236 Montage en surface 8V 850mV 710mW 3Broche(s) 150°C - -
BSP613PH6327XTSA1
BSP613PH6327XTSA1 - MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 2.9 A, 0.11 ohm, SOT-223, Montage en surface

2377261

MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 2.9 A, 0.11 ohm, SOT-223, Montage en surface

INFINEON

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Pièce

1+ 0,988 € 10+ 0,801 € 100+ 0,547 € 500+ 0,468 € 1000+ 0,423 € 5000+ 0,377 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
Canal P 60V 2.9A 0.11ohm SOT-223 Montage en surface 10V 3V 1.8W 4Broche(s) 150°C - AEC-Q101
STW7NK90Z
STW7NK90Z - MOSFET de puissance, Canal N, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-247, Traversant

1752219

MOSFET de puissance, Canal N, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-247, Traversant

STMICROELECTRONICS

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Pièce

1+ 3,41 € 10+ 2,57 € 100+ 2,06 € 500+ 1,83 € 1000+ 1,54 € 5000+ 1,49 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
Canal N 900V 2.9A 1.56ohm TO-247 Traversant 10V 3.75V 140W 3Broche(s) 150°C - -
SI2302CDS-T1-GE3
SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Montage en surface

1684049RL

MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1684049RL
1684049 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,263 € 500+ 0,216 € 1000+ 0,152 € 5000+ 0,148 €

Article restreint

Commande minimale de 150 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 150 Mult: 5
Canal N 20V 2.9A 0.045ohm TO-236 Montage en surface 8V 850mV 710mW 3Broche(s) 150°C - -
STB6NK90ZT4
STB6NK90ZT4 - MOSFET de puissance, Canal N, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface

1752007

MOSFET de puissance, Canal N, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface

STMICROELECTRONICS

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1752007
1752007RL en Mise en bobine

1+ 2,98 € 10+ 2,24 € 100+ 1,74 € 500+ 1,48 € 1000+ 1,24 €

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
Canal N 900V 2.9A 1.56ohm TO-263 (D2PAK) Montage en surface 10V 3.75V 140W 3Broche(s) 150°C - -
ZXMN3B14FTA
ZXMN3B14FTA - MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Montage en surface

3405224

MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Montage en surface

DIODES INC.

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées

1+ 0,679 € 10+ 0,547 € 100+ 0,343 € 250+ 0,332 € 500+ 0,309 € 1000+ 0,25 € 5000+ 0,233 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
Canal N 30V 2.9A 0.08ohm SOT-23 Montage en surface 4.5V 700mV 1W 3Broche(s) 150°C - -
SIHD2N80AE-GE3
SIHD2N80AE-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface

3050581

MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées

1+ 1,02 € 10+ 0,78 € 100+ 0,592 € 250+ 0,557 € 500+ 0,518 € 1000+ 0,435 € 5000+ 0,411 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
Canal N 800V 2.9A 2.5ohm TO-252 (DPAK) Montage en surface 10V 4V 62.5W 3Broche(s) 150°C E-Series -
SIHD2N80AE-GE3
SIHD2N80AE-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface

3050581RL

MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 0,78 € 100+ 0,592 € 250+ 0,557 € 500+ 0,518 € 1000+ 0,435 € 5000+ 0,411 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 1
Canal N 800V 2.9A 2.5ohm TO-252 (DPAK) Montage en surface 10V 4V 62.5W 3Broche(s) 150°C E-Series -
STB6NK90ZT4
STB6NK90ZT4 - MOSFET de puissance, Canal N, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface

1752007RL

MOSFET de puissance, Canal N, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface

STMICROELECTRONICS

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1752007RL
1752007 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 2,24 € 100+ 1,74 € 500+ 1,48 € 1000+ 1,24 €

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 1
Canal N 900V 2.9A 1.56ohm TO-263 (D2PAK) Montage en surface 10V 3.75V 140W 3Broche(s) 150°C - -
ZXMN3B14FTA
ZXMN3B14FTA - MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Montage en surface

3405224RL

MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Montage en surface

DIODES INC.

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 0,547 € 100+ 0,343 € 250+ 0,332 € 500+ 0,309 € 1000+ 0,25 € 5000+ 0,233 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 1
Canal N 30V 2.9A 0.08ohm SOT-23 Montage en surface 4.5V 700mV 1W 3Broche(s) 150°C - -
SIHU2N80AE-GE3
SIHU2N80AE-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-251 (IPAK), Traversant

3586073

MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-251 (IPAK), Traversant

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

1+ 0,629 € 10+ 0,559 € 100+ 0,502 € 250+ 0,478 € 500+ 0,432 € 1000+ 0,373 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
Canal N 800V 2.9A 2.5ohm TO-251 (IPAK) Traversant 10V 4V 62.5W 3Broche(s) 150°C E Series -
SIHU2N80AE-GE3
SIHU2N80AE-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-251 (IPAK), Traversant

3586073RL

MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-251 (IPAK), Traversant

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,502 € 250+ 0,478 € 500+ 0,432 € 1000+ 0,373 €

Article restreint

Commande minimale de 150 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

Ajouter
Min: 150 Mult: 1
Canal N 800V 2.9A 2.5ohm TO-251 (IPAK) Traversant 10V 4V 62.5W 3Broche(s) 150°C E Series -
DMP2088LCP3-7
DMP2088LCP3-7 - MOSFET, P-CH, -2.9A, -20V, X2-DSN1006

3276203

MOSFET, P-CH, -2.9A, -20V, X2-DSN1006

DIODES INC.

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Pièce (fournie en bande découpée)

Frais de port : 18 euros par commande.  Livraison sous 3 jours ouvrés pour les articles en stock

1+ 0,42 € 25+ 0,32 € 50+ 0,25 € 100+ 0,176 € 250+ 0,16 € 500+ 0,147 € 1000+ 0,132 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 1 articles Multiples de 1 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 1 Mult: 1
P Channel 20V 2.9A 0.073ohm X2-DSN1006 Surface Mount 8V 1V 1.13W 3Broche(s) 150°C - -
SI2302CDS-T1-GE3
SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL

2524651

MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL

VISHAY

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Pièce (fournie en bobine complète)

Frais de port : 18 euros par commande.  Livraison sous 3 jours ouvrés pour les articles en stock

3000+ 0,162 € 6000+ 0,156 €

Article restreint

Commande minimale de 3000 articles Multiples de 3000 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 3000 Mult: 3000
N Channel 20V 2.9A 0.045ohm TO-236 Surface Mount 2.5V 850mV 710mW 3Broche(s) 150°C - -
DMN2053UWQ-7
DMN2053UWQ-7 - MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Montage en surface

3589321

MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Montage en surface

DIODES INC.

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Pièce (fournie en bande découpée)

5+ 0,21 € 25+ 0,168 € 100+ 0,13 € 250+ 0,121 € 500+ 0,109 € 1000+ 0,078 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 5 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 5 Mult: 5
Canal N 20V 2.9A 0.039ohm SOT-323 Montage en surface 4.5V 1V 470mW 3Broche(s) 150°C - AEC-Q101
DMN2053UWQ-7
DMN2053UWQ-7 - MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Montage en surface

3589321RL

MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Montage en surface

DIODES INC.

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Pièce (fournie en bande découpée)

Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,13 € 250+ 0,121 € 500+ 0,109 € 1000+ 0,078 €

Article restreint

Commande minimale de 150 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 150 Mult: 5
Canal N 20V 2.9A 0.039ohm SOT-323 Montage en surface 4.5V 1V 470mW 3Broche(s) 150°C - AEC-Q101
SI3459BDV-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Montage en surface

2679686

MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bobine complète)

Bobine

3000+ 0,291 € 9000+ 0,285 €

Article restreint

Commande minimale de 3000 articles Multiples de 3000 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

Ajouter
Min: 3000 Mult: 3000
Canal P 60V 2.9A 0.18ohm TSOP Montage en surface 10V 3V 3.3W 6Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
PMXB75UPEZ
PMXB75UPEZ - MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 2.9 A, 0.069 ohm, DFN1010D, Montage en surface

2469659

MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 2.9 A, 0.069 ohm, DFN1010D, Montage en surface

NEXPERIA

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2469659
2469659RL en Mise en bobine
Article restreint
Canal P 20V 2.9A 0.069ohm DFN1010D Montage en surface 4.5V 680mV 317mW 3Broche(s) 150°C - -
PMXB75UPEZ
PMXB75UPEZ - MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 2.9 A, 0.069 ohm, DFN1010D, Montage en surface

2469659RL

MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 2.9 A, 0.069 ohm, DFN1010D, Montage en surface

NEXPERIA

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2469659RL
2469659 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Article restreint
Canal P 20V 2.9A 0.069ohm DFN1010D Montage en surface 4.5V 680mV 317mW 3Broche(s) 150°C - -
SI3459BDV-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Montage en surface

2646376RL

MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2646376RL
2646376 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Article restreint
Canal P 60V 2.9A 0.18ohm TSOP Montage en surface 10V 3V 3.3W 6Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
SI3459BDV-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Montage en surface

2646376

MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2646376
2646376RL en Mise en bobine
Article restreint
Canal P 60V 2.9A 0.18ohm TSOP Montage en surface 10V 3V 3.3W 6Broche(s) 150°C TrenchFET Series -
CSD13383F4T .
CSD13383F4T . - MOSFET de puissance, Canal N, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Montage en surface

2466807RL

MOSFET de puissance, Canal N, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Montage en surface

TEXAS INSTRUMENTS

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2466807RL
2466807 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Article restreint
Canal N 12V 2.9A 0.037ohm PICOSTAR Montage en surface 4.5V 1V 500mW 3Broche(s) 150°C - -
CSD13383F4T .
CSD13383F4T . - MOSFET de puissance, Canal N, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Montage en surface

2466807

MOSFET de puissance, Canal N, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Montage en surface

TEXAS INSTRUMENTS

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :2466807
2466807RL en Mise en bobine
Article restreint
Canal N 12V 2.9A 0.037ohm PICOSTAR Montage en surface 4.5V 1V 500mW 3Broche(s) 150°C - -
NDD03N80ZT4G
NDD03N80ZT4G - MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 3.7 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface

2727999RL

MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 3.7 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Article restreint
Canal N 800V 2.9A 3.7ohm TO-252 (DPAK) Montage en surface 10V 4.1V 96W 3Broche(s) 150°C - -
NDD03N80ZT4G
NDD03N80ZT4G - MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 3.7 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface

2727999

MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 2.9 A, 3.7 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Article restreint
Canal N 800V 2.9A 3.7ohm TO-252 (DPAK) Montage en surface 10V 4.1V 96W 3Broche(s) 150°C - -