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RGT8NS65DGTL
IGBT, Field Stop Trench, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Broche(s)
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRGT8NS65DGTL
Code Commande2519786
Fiche technique
Courant Collecteur Continu8A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.65V
Dissipation de puissance65W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-263S
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
8A
Dissipation de puissance
65W
Type de boîtier de transistor
TO-263S
Température de fonctionnement max..
175°C
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.65V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits