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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTH81
Code Commande2438286
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max20V
Fréquence de transition600MHz
Dissipation de puissance225mW
Courant Collecteur Continu-50mA
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nombre de broches3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min60hFE
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MMBTH81 is a PNP RF Transistor designed for general RF amplifier and mixer applications to 250mHz with collector currents in the 1 to 30mA range.
- 20V Collector-emitter voltage
- 20V Collector-base voltage
- 3V Emitter-base voltage
- 50mA Continuous collector current
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Fréquence de transition
600MHz
Courant Collecteur Continu
-50mA
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Collecteur Emetteur Max
20V
Dissipation de puissance
225mW
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Gain de courant DC hFE Min
60hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000314
Traçabilité des produits