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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTH81
Code Commande1467935
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max20V
Fréquence de transition600MHz
Dissipation de puissance225mW
Courant Collecteur Continu-50mA
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nombre de broches3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min60hFE
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MMBTH81 est un transistor PNP RF conçu pour les applications générales d'amplification et de mixage RF jusqu'à 250 MHz avec des courants de collecteur dans la plage de 1 à 30mA.
- Tension collecteur-émetteur 20V
- Tension collecteur-base 20V
- Tension émetteur-base 3V
- Courant collecteur continu 50mA
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Fréquence de transition
600MHz
Courant Collecteur Continu
-50mA
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max
20V
Dissipation de puissance
225mW
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Gain de courant DC hFE Min
60hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.11
Traçabilité des produits