Imprimer la page
HUF75345P3
MOSFET de puissance, Canal N, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Traversant
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
636 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,860 € |
| 10+ | 1,230 € |
| 100+ | 1,200 € |
| 500+ | 1,190 € |
| 1000+ | 1,160 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
1,86 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHUF75345P3
Code Commande9845755
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds55V
Courant de drain Id75A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.006ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance215W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The HUF75345P3 is a N-channel Power MOSFET manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible ON-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, relay drivers, low-voltage bus switches and power management in battery-operated products.
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
- Simulation models - Temperature compensated PSPICE® & SABER™, thermal impedance SPICE & SABER
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
75A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
215W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
55V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.006ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour HUF75345P3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits