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5000+ | 0,0316 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC847BPDW1T1G
Code Commande1653701
Fiche technique
Polarité transistorNPN, PNP
Tension Collecteur Emetteur Max45V
Fréquence de transition100MHz
Dissipation de puissance380mW
Courant Collecteur Continu100mA
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nombre de broches3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min200hFE
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le BC847BPDW1T1G est un transistor NPN-PNP conçu pour les applications d'amplificateurs pour un usage général. Il est dans un boîtier pour montage en surface pour les applications faible consommation.
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN, PNP
Fréquence de transition
100MHz
Courant Collecteur Continu
100mA
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
45V
Dissipation de puissance
380mW
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Gain de courant DC hFE Min
200hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BC847BPDW1T1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.09
Traçabilité des produits