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BC847BPDW1T1G
Transistor RF - Bipolaire, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, SOT-363
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0344 € |
| 9000+ | 0,0267 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC847BPDW1T1G
Code Commande2440794
Fiche technique
Polarité transistorNPN, PNP
Tension Collecteur Emetteur Max45V
Fréquence de transition100MHz
Dissipation de puissance380mW
Courant Collecteur Continu100mA
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nbre de broches6Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.200hFE
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN, PNP
Fréquence de transition
100MHz
Courant Collecteur Continu
100mA
Nbre de broches
6Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
45V
Dissipation de puissance
380mW
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Gain de courant DC hFE Min.
200hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BC847BPDW1T1G
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits