MT41K512M16VRP-107 AAT:P

La MT41K512M16VRP-107 AAT:P est une SDRAM TwinDie 1.35V DDR3L. Il s'agit d'un dispositif de mémoire à accès aléatoire dynamique CMOS haute vitesse configuré en interne comme deux SDRAM DDR3L à 8 banques. Il utilise une architecture à double débit de données pour obtenir un fonctionnement à grande vitesse. L'architecture à double débit de données est une architecture de prélecture 8n avec une interface conçue pour transférer deux mots de données par cycle d'horloge au niveau des billes d'E/S. Un seul accès en lecture ou en écriture se compose d'un seul transfert de données d'une largeur de 8 n bits et d'un cycle d'horloge au cœur de la DRAM interne et de huit transferts de données correspondants d'une largeur de n bits et d'un demi-cycle d'horloge au niveau de l'interface d'E/S.

• Configuration 512Meg x 16, débit de données de 1866MT/s, Certifié: automobile
• Boîtier FBGA 96 billes, 8mm x 14mm
• Synchronisation (temps de cycle) de 1,07ns à CL = 13 (DDR3-1866)
• Température d'utilisation de -40°C à +105°C, Certification automobile
• La plage de tension d'alimentation est de -0,4 V à 1,975 V, étalonnage du pilote de sortie
• Stroboscope de données bidirectionnel différentiel, architecture de prélecture 8n bits
• Entrées d'horloge différentielles (CK, CK#), 8 banques internes, Registre polyvalent
• Latence CAS (LECTURE) programmable (CL), latence CAS (ECRITURE) programmable (CWL)
• Sélectionnable BC4 ou BL8 à la volée (OTF), mode d'auto-rafraîchissement
• Température d'auto-rafraîchissement (SRT), auto-rafraîchissement automatique (ASR)