Imprimer la page
IXFN140N20P
Transistor MOSFET, PolarFET, Canal N, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
484 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 26,420 € |
| 5+ | 22,880 € |
| 10+ | 19,340 € |
| 50+ | 18,680 € |
| 100+ | 18,010 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
26,42 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN140N20P
Code Commande1427319
Fiche technique
Type de canalCanal N
Courant de drain Id140A
Tension Vds max..200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.018ohm
Type de boîtier de transistorISOTOP
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Montage transistorModule
Dissipation de puissance680W
Température de fonctionnement max..175°C
Nombre de broches4Broche(s)
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
L'IXFN140N20P est un MOSFET de puissance à mode d'amélioration, canal N, unique PolarHT™ avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™). Il présente une résistance ON drain-source statique réduite et une densité de puissance élevée
- Boîtier standard international
- Commutation inductive non serrée (UIS)
- Faible inductance du boîtier - Facile à conduire et à protéger
- Facile à monter
- Économie d'espace
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
200V
Type de boîtier de transistor
ISOTOP
Tension de seuil Vgs Max
5V
Dissipation de puissance
680W
Nombre de broches
4Broche(s)
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Courant de drain Id
140A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.018ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Montage transistor
Module
Température de fonctionnement max..
175°C
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.311618
Traçabilité des produits