IRF7105TRPBF
MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
4 000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 1,030 € |
| 50+ | 0,640 € |
| 250+ | 0,435 € |
| 1000+ | 0,305 € |
| 2000+ | 0,279 € |
Informations produit
Aperçu du produit
The IRF7105TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Advanced process technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
Spécifications techniques
Complémentaire canal N et P
25V
3.5A
0.083ohm
8Broche(s)
2W
-
MSL 1 - Illimité
25V
3.5A
0.083ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit