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Transistors MOSFET Double:

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Type de canal
Tension Drain Source Vds, Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
Courant de drain continu Id, Canal N
Courant de drain continu Id, Canal P
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
Type de boîtier de transistor
Nbre de broches
Dissipation de puissance Canal P
Température d'utilisation Max.
Gamme de produit
Emballage
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ComparerPrix pourQuantité
2467998

RoHS

Pièce (fournie en bande découpée)
Bandes découpées
5+
1,030 €
50+
0,640 €
250+
0,435 €
1000+
0,305 €
2000+
0,279 €
Min : 5 / Mult : 5
Complémentaire canal N et P
25V
25V
3.5A
3.5A
0.083ohm
0.083ohm
SOIC
8Broche(s)
2W
2W
150°C
-
2467998RL

RoHS

Pièce (fournie en bande découpée)
Mise en bobine
Options de conditionnement
50+
0,640 €
250+
0,435 €
1000+
0,305 €
2000+
0,279 €
Min : 100 / Mult : 1
Complémentaire canal N et P
25V
25V
3.5A
3.5A
0.083ohm
0.083ohm
SOIC
8Broche(s)
2W
2W
150°C
-
2646387

RoHS

Pièce (fournie en bande découpée)
Bandes découpées
5+
0,488 €
50+
0,319 €
100+
0,244 €
500+
0,224 €
1500+
0,209 €
Min : 5 / Mult : 5
Canal P
20V
20V
4A
4A
0.083ohm
0.083ohm
ChipFET
8Broche(s)
3.1W
3.1W
150°C
TrenchFET Series
2679697

RoHS

Date/Lot Code

Pièce (fournie en bobine complète)
Bobine complète
Options de conditionnement
3000+
0,208 €
9000+
0,182 €
Min : 3000 / Mult : 3000
Canal P
20V
20V
4A
4A
0.083ohm
0.083ohm
ChipFET
8Broche(s)
3.1W
3.1W
150°C
TrenchFET Series
2646387RL

RoHS

Date/Lot Code

Pièce (fournie en bande découpée)
Mise en bobine
Options de conditionnement
100+
0,244 €
500+
0,224 €
1500+
0,209 €
Min : 100 / Mult : 5
Canal P
20V
20V
4A
4A
0.083ohm
0.083ohm
ChipFET
8Broche(s)
3.1W
3.1W
150°C
TrenchFET Series
4318888

RoHS

Date/Lot Code

Pièce (fournie en bobine complète)
Bobine complète
Options de conditionnement
4000+
0,247 €
12000+
0,242 €
Min : 4000 / Mult : 4000
Complémentaire canal N et P
25V
25V
3.5A
3.5A
0.083ohm
0.083ohm
SOIC
8Broche(s)
2W
2W
150°C
-
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