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IRF135S203
MOSFET de puissance, StrongIRFET™, Canal N, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF135S203
Code Commande2781106
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001570032
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds135V
Courant de drain Id129A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0067ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance441W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IRF135S203
2 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
129A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
441W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
135V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0067ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001