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IPW60R125CPFKSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 25 A, 0.11 ohm, TO-247, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R125CPFKSA1
Code Commande2212865
Egalement appeléIPW60R125CP, SP000088489
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,790 € |
| 10+ | 4,870 € |
| 100+ | 3,940 € |
| 500+ | 2,680 € |
| 1000+ | 2,630 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
5,79 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R125CPFKSA1
Code Commande2212865
Egalement appeléIPW60R125CP, SP000088489
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id25A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.11ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance208W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le IPW60R125CP est un MOSFET de puissance, canal N CoolMOS™ 650V doté d'une charge de grille ultra-faible. Réduction significative des pertes de conduction et de commutation
- Faible facteur de mérite (FOM) RON x Qg
- dV/dt extrême
- Capacité de courant de crête élevée
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles.
- Vitesse de commutation rapide
- Capacité de courant élevée
- Réduction significative des pertes de conduction et de commutation
- Densité de puissance et efficacité élevées pour des systèmes de conversion de puissance supérieurs
- Meilleur rapport de performance de sa catégorie
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
25A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
208W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.11ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.008278
Traçabilité des produits