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FF6MR20W2M1HB70BPSA1
MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Canal N, 160 A, 2 kV, 0.0081 ohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF6MR20W2M1HB70BPSA1
Code Commande4574243
Gamme de produitEasyPACK 2B CoolSiC Series
Egalement appeléFF6MR20W2M1H_B70, SP005731276
Fiche technique
11 En Stock
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF6MR20W2M1HB70BPSA1
Code Commande4574243
Gamme de produitEasyPACK 2B CoolSiC Series
Egalement appeléFF6MR20W2M1H_B70, SP005731276
Fiche technique
Configuration du module MOSFETDemi-pont
Type de canalCanal N
Courant de drain Id160A
Tension Drain-Source Vds2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0081ohm
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches28Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max5.15V
Dissipation de puissance20mW
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitEasyPACK 2B CoolSiC Series
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Demi-pont
Courant de drain Id
160A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0081ohm
Nbre de broches
28Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.15V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
2kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
20mW
Gamme de produit
EasyPACK 2B CoolSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits