Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC):
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
Configuration du module MOSFET
Type de canal
Courant de drain Id
Tension Drain-Source Vds
Résistance Drain-Source à l'état-ON
Type de boîtier de transistor
Nbre de broches
Tension de test Rds(on)
Tension de seuil Vgs Max
Dissipation de puissance
Température d'utilisation Max.
Gamme de produit
Emballage
Filtre(s) appliqué(s)
1 Filtre(s) sélectionné(s)
Comparer | Prix pour | Quantité | |||||||||||||||||
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Pièce | 1+ 309,880 € 5+ 303,680 € | Min : 1 / Mult : 1 | Demi-pont | Canal N | 160A | 2kV | 0.0081ohm | Module | 28Broche(s) | 18V | 5.15V | 20mW | 175°C | EasyPACK 2B CoolSiC Series | |||||
Pièce | 1+ 308,360 € 5+ 303,740 € | Min : 1 / Mult : 1 | Demi-pont | 6 canal N | 29.5A | 1.2kV | 0.08ohm | Module | 28Broche(s) | 20V | 2.2V | 167W | 150°C | Compute Module 3+ Series |