Imprimer la page
ZXMN7A11G
MOSFET de puissance, Canal N, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 047 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,090 € |
| 10+ | 0,723 € |
| 50+ | 0,722 € |
| 200+ | 0,453 € |
| 500+ | 0,360 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,09 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMN7A11G
Code Commande1251240
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds70V
Courant de drain Id3.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.13ohm
Type de boîtier de transistorSOT-223
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance3.9W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The ZXMN7A11G is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. This new generation of Trench MOSFET from Zetex utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency and low voltage applications.
- Low threshold
- Low gate drive
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3.8A
Type de boîtier de transistor
SOT-223
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
3.9W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
70V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.13ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00021
Traçabilité des produits