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ZXMN7A11G
MOSFET de puissance, Canal N, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 46 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1000+ | 0,290 € |
| 3000+ | 0,268 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 1000
Multiple: 1000
290,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMN7A11G
Code Commande4318338
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds70V
Courant de drain Id3.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.13ohm
Type de boîtier de transistorSOT-223
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance3.9W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3.8A
Type de boîtier de transistor
SOT-223
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
3.9W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
70V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.13ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00021
Traçabilité des produits