Transistors MOSFET Simple

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Polarité transistor Tension Vds max.. Courant de drain Id Résistance Rds(on) Type de boîtier de transistor Montage transistor Tension, mesure Rds Tension de seuil Vgs Dissipation de puissance Pd Nombre de broches Température de fonctionnement max.. Gamme de produit Normes Qualification Automobile
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
TSM2314CX RFG
TSM2314CX RFG - MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Montage en surface

1864589

MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Montage en surface

TAIWAN SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1864589
1864589RL en Mise en bobine

5+ 0,545 € 10+ 0,438 € 100+ 0,265 € 500+ 0,198 € 1000+ 0,161 € 5000+ 0,146 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 5 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 5 Mult: 5
Canal N 20V 4.9A 0.027ohm SOT-23 Montage en surface 4.5V 850mV 1.25W 3Broche(s) 150°C - -
FDS2572
FDS2572 - MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Montage en surface

9845186

MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :9845186
9845186RL en Mise en bobine

5+ 1,29 € 10+ 1,02 € 100+ 0,696 € 500+ 0,495 € 2500+ 0,489 € 5000+ 0,488 € 7500+ 0,478 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 5 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 5 Mult: 5
Canal N 150V 4.9A 0.04ohm SOIC Montage en surface 10V 4V 2.5W 8Broche(s) 150°C - -
FDC610PZ
FDC610PZ - MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Montage en surface

2101404

MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce

5+ 0,49 € 10+ 0,384 € 100+ 0,242 € 500+ 0,198 € 1000+ 0,137 € 5000+ 0,13 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 5 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

Ajouter
Min: 5 Mult: 5
Canal P 30V 4.9A 0.036ohm SuperSOT Montage en surface 10V 2.2V 800mW 6Broche(s) 150°C - -
PMV30XPAR
PMV30XPAR - MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23

3361017

MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23

NEXPERIA

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :3361017
3361017RL en Mise en bobine

5+ 0,244 € 25+ 0,216 € 100+ 0,139 € 250+ 0,128 € 500+ 0,116 € 1000+ 0,0771 € 5000+ 0,0702 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 5 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 5 Mult: 5
Canal P 20V 4.9A 0.025ohm SOT-23 - 8V 950mV 610mW 3Broche(s) 175°C - AEC-Q101
TSM2314CX RFG
TSM2314CX RFG - MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Montage en surface

1864589RL

MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Montage en surface

TAIWAN SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1864589RL
1864589 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,265 € 500+ 0,198 € 1000+ 0,161 € 5000+ 0,146 €

Article restreint

Commande minimale de 150 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 150 Mult: 5
Canal N 20V 4.9A 0.027ohm SOT-23 Montage en surface 4.5V 850mV 1.25W 3Broche(s) 150°C - -
FDS2572
FDS2572 - MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Montage en surface

9845186RL

MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Montage en surface

ON SEMICONDUCTOR

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :9845186RL
9845186 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

10+ 1,02 € 100+ 0,696 € 500+ 0,495 € 2500+ 0,489 € 5000+ 0,488 € 7500+ 0,478 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 5
Canal N 150V 4.9A 0.04ohm SOIC Montage en surface 10V 4V 2.5W 8Broche(s) 150°C - -
DMP3056LSSQ-13
DMP3056LSSQ-13 - MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Montage en surface

3405195

MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Montage en surface

DIODES INC.

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :3405195
3405195RL en Mise en bobine

5+ 0,818 € 25+ 0,76 € 100+ 0,376 € 250+ 0,358 € 500+ 0,322 € 1000+ 0,222 € 5000+ 0,203 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 5 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 5 Mult: 5
Canal P 30V 4.9A 0.025ohm SOIC Montage en surface 10V 2.1V 1.2W 8Broche(s) 150°C - AEC-Q101
PMV30XPAR
PMV30XPAR - MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23

3361017RL

MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23

NEXPERIA

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :3361017RL
3361017 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

100+ 0,139 € 250+ 0,128 € 500+ 0,116 € 1000+ 0,0771 € 5000+ 0,0702 €

Article restreint

Commande minimale de 150 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 150 Mult: 5
Canal P 20V 4.9A 0.025ohm SOT-23 - 8V 950mV 610mW 3Broche(s) 175°C - AEC-Q101
DMP3056LSSQ-13
DMP3056LSSQ-13 - MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Montage en surface

3405195RL

MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Montage en surface

DIODES INC.

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :3405195RL
3405195 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit

5+ 0,818 € 25+ 0,76 € 100+ 0,376 € 250+ 0,358 € 500+ 0,322 € 1000+ 0,222 € 5000+ 0,203 € Plus de tarifs

Article restreint

Commande minimale de 10 articles Multiples de 5 uniquement Veuillez saisir une quantité valide

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Min: 10 Mult: 5
Canal P 30V 4.9A 0.025ohm SOIC Montage en surface 10V 2.1V 1.2W 8Broche(s) 150°C - AEC-Q101
SI2334DS-T1-GE3
SI2334DS-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 4.9 A, 0.035 ohm, SOT-23, Montage en surface

1858943

MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 4.9 A, 0.035 ohm, SOT-23, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Bandes découpées
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1858943
1858943RL en Mise en bobine
Article restreint
Canal N 30V 4.9A 0.035ohm SOT-23 Montage en surface 4.5V 400mV 1.3W 3Broche(s) 150°C - -
SI2334DS-T1-GE3
SI2334DS-T1-GE3 - MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 4.9 A, 0.035 ohm, SOT-23, Montage en surface

1858943RL

MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 4.9 A, 0.035 ohm, SOT-23, Montage en surface

VISHAY

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Pièce (fournie en bande découpée)

Mise en bobine
Options de conditionnement
Suggestion de remplacement pour :1858943RL
1858943 en Bandes découpées
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Article restreint
Canal N 30V 4.9A 0.035ohm SOT-23 Montage en surface 4.5V 400mV 1.3W 3Broche(s) 150°C - -