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DMP3056LSSQ-13
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,601 € |
| 10+ | 0,446 € |
| 100+ | 0,302 € |
| 500+ | 0,231 € |
| 1000+ | 0,201 € |
| 5000+ | 0,158 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP3056LSSQ-13
Code Commande3405195
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id4.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.025ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.1V
Dissipation de puissance1.2W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
4.9A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.025ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.1V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0002
Traçabilité des produits