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PMV30XPAR
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,477 € |
| 10+ | 0,287 € |
| 100+ | 0,152 € |
| 500+ | 0,144 € |
| 1000+ | 0,135 € |
| 5000+ | 0,0907 € |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV30XPAR
Code Commande3361017
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id4.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.025ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)8V
Tension de seuil Vgs Max950mV
Dissipation de puissance610mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
4.9A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
8V
Dissipation de puissance
610mW
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.025ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
950mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000091
Traçabilité des produits