Canal N Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC)

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Canal N

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NTBG160N120SC1	3528497RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET en carbure de silicium EliteSiC Simple Canal N 19.5 A 1.2 kV 0.16 ohm	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 4,860 € 50+ 4,470 € 100+ 4,110 € 250+ 4,030 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	19.5A	1.2kV	0.16ohm	0.16ohm	TO-263HV (D2PAK)	7Broche(s)	20V	3V	136W	136W	175°C	EliteSiC Series
NVBG080N120SC1	3528514RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET en carbure de silicium EliteSiC Simple Canal N 30 A 1.2 kV 0.08 ohm TO-263HV (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 7,180 € 50+ 6,960 € 100+ 6,820 € 250+ 6,680 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	30A	1.2kV	0.08ohm	0.08ohm	TO-263HV (D2PAK)	7Broche(s)	20V	3V	179W	179W	175°C	EliteSiC Series
SCTH70N120G2V-7	3748720RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	STMICROELECTRONICS MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 90 A 1.2 kV 0.021 ohm H2PAK	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 26,430 € 50+ 24,730 € 100+ 24,060 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	90A	1.2kV	0.021ohm	0.021ohm	H2PAK	7Broche(s)	18V	2.45V	469W	469W	175°C	-
IMBG65R107M1HXTMA1	3928611RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 24 A 650 V 0.107 ohm TO-263	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 2,250 €	Min : 100 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	24A	650V	0.107ohm	0.107ohm	TO-263	7Broche(s)	18V	4.5V	110W	110W	175°C	CoolSiC M1 Trench Series
IMBG120R220M1HXTMA1	3582466RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 13 A 1.2 kV 0.22 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 2,880 € 500+ 2,860 € 1000+ 2,330 €	Min : 100 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	13A	1.2kV	0.22ohm	0.22ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	18V	4.5V	83W	83W	175°C	CoolSiC
NTBG045N065SC1	3766198RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET en carbure de silicium EliteSiC Simple Canal N 62 A 650 V 0.031 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 6,860 € 50+ 6,770 € 100+ 6,670 € 250+ 6,540 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	62A	650V	0.031ohm	0.031ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	18V	2.8V	242W	242W	175°C	EliteSiC Series
IMBF170R450M1XTMA1	3577330RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 9.8 A 1.7 kV 0.364 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 3,370 € 500+ 3,060 € 1000+ 2,740 €	Min : 100 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	9.8A	1.7kV	0.364ohm	0.364ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	15V	4.5V	107W	107W	175°C	CoolSiC
NVBG160N120SC1	3528515RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET en carbure de silicium EliteSiC Simple Canal N 19.5 A 1.2 kV 0.16 ohm	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 6,930 € 50+ 6,600 € 100+ 6,270 € 250+ 6,140 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	19.5A	1.2kV	0.16ohm	0.16ohm	TO-263HV (D2PAK)	7Broche(s)	20V	3V	136W	136W	175°C	EliteSiC Series
SCTH35N65G2V-7AG	3764233RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	STMICROELECTRONICS MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 45 A 650 V 0.045 ohm H2PAK	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 7,940 € 50+ 7,790 € 100+ 7,640 € 250+ 7,490 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	45A	650V	0.045ohm	0.045ohm	H2PAK	7Broche(s)	20V	3.2V	208W	208W	175°C	-
SCTL90N65G2V	3748721RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	STMICROELECTRONICS MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 40 A 650 V 0.018 ohm PowerFLAT	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 19,310 € 50+ 18,920 € 100+ 18,540 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	40A	650V	0.018ohm	0.018ohm	PowerFLAT	5Broche(s)	18V	3.2V	935W	935W	175°C	-
SCTH60N120G2-7	3806244RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	STMICROELECTRONICS MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 60 A 1.2 kV 0.035 ohm H2PAK	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 17,530 € 50+ 16,790 € 100+ 16,050 € 250+ 15,600 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	60A	1.2kV	0.035ohm	0.035ohm	H2PAK	7Broche(s)	18V	3V	390W	390W	175°C	-
SCTL35N65G2V	3764234RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	STMICROELECTRONICS MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 40 A 650 V 0.045 ohm PowerFLAT HV	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 9,830 € 50+ 9,040 € 100+ 8,320 € 250+ 8,190 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	40A	650V	0.045ohm	0.045ohm	PowerFLAT HV	5Broche(s)	20V	3.2V	417W	417W	175°C	-
IMBF170R650M1XTMA1	3577331RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 7.4 A 1.7 kV 0.526 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 2,720 € 500+ 2,670 € 1000+ 2,170 €	Min : 100 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	7.4A	1.7kV	0.526ohm	0.526ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	15V	4.5V	88W	88W	175°C	CoolSiC
SCTH40N120G2V-7	3758567RL Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 36 A 1.2 kV 0.07 ohm H2PAK	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 8,930 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	36A	1.2kV	0.07ohm	0.07ohm	H2PAK	7Broche(s)	18V	2.45V	238W	238W	175°C	-
IMBG120R090M1HXTMA1	3582464RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 26 A 1.2 kV 0.09 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 5,150 € 50+ 4,750 € 100+ 4,350 € 250+ 4,260 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	26A	1.2kV	0.09ohm	0.09ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	18V	4.5V	136W	136W	175°C	CoolSiC
NTBG080N120SC1	3528496RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET en carbure de silicium EliteSiC Simple Canal N 30 A 1.2 kV 0.08 ohm TO-263HV (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 7,050 € 50+ 6,700 € 100+ 6,690 € 250+ 6,560 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	30A	1.2kV	0.08ohm	0.08ohm	TO-263HV (D2PAK)	7Broche(s)	20V	3V	179W	179W	175°C	EliteSiC Series
IMBG120R350M1HXTMA1	3582467RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 4.7 A 1.2 kV 0.35 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 2,500 € 500+ 2,420 € 1000+ 1,970 €	Min : 100 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	4.7A	1.2kV	0.35ohm	0.35ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	18V	4.5V	65W	65W	175°C	CoolSiC
IMBG120R030M1HXTMA1	3582461RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 56 A 1.2 kV 0.041 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 10,330 € 50+ 9,830 € 100+ 9,320 € 250+ 9,130 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	56A	1.2kV	0.041ohm	0.03ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	18V	5.7V	300W	300W	175°C	CoolSiC Series
IMBG120R060M1HXTMA1	3582463RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 36 A 1.2 kV 0.06 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 5,630 € 50+ 5,180 € 100+ 4,400 € 250+ 4,310 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	36A	1.2kV	0.06ohm	0.06ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	18V	4.5V	181W	181W	175°C	CoolSiC
NVBG020N120SC1	3265484RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET en carbure de silicium EliteSiC Simple Canal N 98 A 1.2 kV 0.02 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 33,010 € 50+ 32,350 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	98A	1.2kV	0.02ohm	0.02ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	20V	2.7V	468W	468W	175°C	EliteSiC Series
IMBG120R140M1HXTMA1	3582465RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 18 A 1.2 kV 0.189 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	100+ 3,390 € 500+ 3,370 € 1000+ 3,120 €	Min : 100 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	18A	1.2kV	0.189ohm	0.14ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	18V	5.7V	107W	107W	175°C	CoolSiC Trench Series
IMBG120R045M1HXTMA1	3582462RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 47 A 1.2 kV 0.045 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 7,980 € 50+ 7,600 € 100+ 7,220 € 250+ 7,080 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	47A	1.2kV	0.045ohm	0.045ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	18V	4.5V	227W	227W	175°C	CoolSiC
NTBG015N065SC1	3766197RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET en carbure de silicium EliteSiC Simple Canal N 145 A 650 V 0.012 ohm TO-263 (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 20,470 € 50+ 20,380 € 100+ 20,280 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	145A	650V	0.012ohm	0.012ohm	TO-263 (D2PAK)	7Broche(s)	18V	2.8V	500W	500W	175°C	EliteSiC Series
IMBG65R022M1HXTMA1	3928619RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET en carbure de silicium Simple Canal N 64 A 650 V 0.022 ohm TO-263	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 10,110 € 50+ 9,630 € 100+ 9,140 € 250+ 8,960 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	64A	650V	0.022ohm	0.022ohm	TO-263	7Broche(s)	18V	4.5V	300W	300W	175°C	CoolSiC M1 Trench Series
NVBG022N120M3S	4036823RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI MOSFET en carbure de silicium EliteSiC Simple Canal N 58 A 1.2 kV 0.022 ohm TO-263HV (D2PAK)	Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement	10+ 16,190 € 50+ 16,150 € 100+ 16,100 €	Min : 10 / Mult : 1	Simple	Canal N	Canal N	58A	1.2kV	0.022ohm	0.022ohm	TO-263HV (D2PAK)	7Broche(s)	18V	2.72V	234W	234W	175°C	EliteSiC Series