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IMBG120R140M1HXTMA1
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R140M1HXTMA1
Code Commande3582465RL
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Egalement appeléIMBG120R140M1H, SP004463792
Fiche technique
1 017 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 3,350 € |
| 500+ | 2,940 € |
| 1000+ | 2,930 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R140M1HXTMA1
Code Commande3582465RL
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Egalement appeléIMBG120R140M1H, SP004463792
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Courant de drain Id18A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.189ohm
Résistance Rds(on)0.14ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max5.7V
Dissipation de puissance Pd107W
Dissipation de puissance107W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IMBG120R140M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical applications include drives, infrastructure – charger, energy generation solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies-industrial UPS.
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance <gt/> 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement, enabling higher frequency and increased power density
- Cooling effort reduction and reduction of system complexity and cost
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Polarité transistor
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Résistance Rds(on)
0.14ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.7V
Dissipation de puissance
107W
Gamme de produit
CoolSiC Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
18A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.189ohm
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance Pd
107W
Température d'utilisation Max.
175°C
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001588
Traçabilité des produits