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XP2N075EN
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23S, Montage en surface
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FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP2N075EN
Code Commande4168911RL
Gamme de produitXP2N075E Series
Fiche technique
2 995 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,105 € |
| 500+ | 0,102 € |
| 1000+ | 0,100 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP2N075EN
Code Commande4168911RL
Gamme de produitXP2N075E Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id3.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.075ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23S
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1.2V
Dissipation de puissance1.25W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitXP2N075E Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3.5A
Type de boîtier de transistor
SOT-23S
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.25W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.075ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
XP2N075E Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001