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CAS120M12BM2
MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Canal double N, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module
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Informations produit
FabricantWOLFSPEED
Réf. FabricantCAS120M12BM2
Code Commande2630836
Fiche technique
Configuration du module MOSFETDemi-pont
Type de canalCanal double N
Courant de drain Id193A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.013ohm
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches-
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max2.6V
Dissipation de puissance925W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produits de remplacement pour CAS120M12BM2
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Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Demi-pont
Courant de drain Id
193A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.013ohm
Nbre de broches
-
Tension de seuil Vgs Max
2.6V
Température d'utilisation Max.
150°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Type de canal
Canal double N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
925W
Gamme de produit
-
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.345637