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WNSC2D601200W6Q
Diode Schottky carbure de silicium, Une, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
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|---|---|
| 1+ | 8,020 € |
| 5+ | 6,310 € |
| 10+ | 5,190 € |
| 50+ | 4,820 € |
| 100+ | 4,700 € |
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2D601200W6Q
Code Commande4697773
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen60A
Charge Capacitive Totale143nC
Type de boîtier de diodeTO-247
Nbre de broches2 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Charge Capacitive Totale
143nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
60A
Type de boîtier de diode
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
0
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001