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WNSC2D10650TJ
Diode Schottky carbure de silicium, Une, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,710 € |
| 10+ | 2,080 € |
| 100+ | 1,640 € |
| 500+ | 1,410 € |
| 1000+ | 1,230 € |
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2D10650TJ
Code Commande3703849
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen10A
Charge Capacitive Totale14nC
Type de boîtier de diodeDFN
Nbre de broches5 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Qualification-
SVHC0
Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
14nC
Nbre de broches
5 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
0
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
10A
Type de boîtier de diode
DFN
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :0
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004082