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VS-FC420SA10
Transistor MOSFET, Canal N, 435 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10V, 2,9 V, SOT-227
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVS-FC420SA10
Code Commande3513307
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 24,360 € |
| 5+ | 22,740 € |
| 10+ | 21,130 € |
| 50+ | 19,510 € |
| 100+ | 17,890 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVS-FC420SA10
Code Commande3513307
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Courant de drain Id435A
Tension Drain-Source Vds100V
Résistance Rds(on)0.0013ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON2150µohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.8V
Dissipation de puissance652W
Dissipation de puissance Pd652W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Le VS-FC420SA10 est un module d'alimentation MOSFET à commutateur unique.
- ID <gt/> 420A, TC = 25°C, MOSFET de puissance TrenchFET®
- Faible capacité d'entrée (Ciss), pertes de commutation et de conduction réduites
- Charge de grille ultra faible (Qg), énergie d'avalanche nominale (UIS)
- Approuvé UL Fichier E78996
- Tension Drain-Source de 100V à (TC = 25°C)
- Résistance statique drain-source de 1.3mohm typ. (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Courant drain continu, VGS à 10V est de 435A max (TC = 25°C)
- Tension d'isolement (RMS) de 2500V max (n'importe quelle borne au boîtier, t = 1 min, TC = 25°C)
- Temps de montée de 275ns typ. (VDD = 50V, TJ = 25°C), temps de descente 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- Boîtier SOT-227, plage de température de jonction -55 à +175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
435A
Résistance Rds(on)
0.0013ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
652W
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Polarité transistor
Canal N
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2150µohm
Tension de seuil Vgs Max
3.8V
Dissipation de puissance Pd
652W
Gamme de produit
TrenchFET Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.04