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VS-FC420SA10
Transistor MOSFET, Canal N, 435 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10V, 2,9 V, SOT-227
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVS-FC420SA10
Code Commande3513307
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
853 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 23,760 € |
| 5+ | 22,220 € |
| 10+ | 20,680 € |
| 50+ | 19,130 € |
| 100+ | 17,590 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
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23,76 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVS-FC420SA10
Code Commande3513307
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Courant de drain Id435A
Tension Vds max..100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.00215ohm
Résistance Rds(on)0.0013ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.8V
Dissipation de puissance Pd652W
Dissipation de puissance652W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Le VS-FC420SA10 est un module d'alimentation MOSFET à commutateur unique.
- ID <gt/> 420A, TC = 25°C, MOSFET de puissance TrenchFET®
- Faible capacité d'entrée (Ciss), pertes de commutation et de conduction réduites
- Charge de grille ultra faible (Qg), énergie d'avalanche nominale (UIS)
- Approuvé UL Fichier E78996
- Tension Drain-Source de 100V à (TC = 25°C)
- Résistance statique drain-source de 1.3mohm typ. (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Courant drain continu, VGS à 10V est de 435A max (TC = 25°C)
- Tension d'isolement (RMS) de 2500V max (n'importe quelle borne au boîtier, t = 1 min, TC = 25°C)
- Temps de montée de 275ns typ. (VDD = 50V, TJ = 25°C), temps de descente 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- Boîtier SOT-227, plage de température de jonction -55 à +175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
435A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.00215ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
652W
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
To Be Advised
Polarité transistor
Canal N
Tension Vds max..
100V
Résistance Rds(on)
0.0013ohm
Tension de seuil Vgs Max
3.8V
Dissipation de puissance
652W
Gamme de produit
TrenchFET Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.04
Traçabilité des produits