Imprimer la page
7 730 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,680 € |
| 10+ | 1,640 € |
| 100+ | 1,550 € |
| 500+ | 1,470 € |
| 1000+ | 1,380 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
1,68 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVB60100C-E3/4W
Code Commande2889263
Gamme de produitTMBS
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive100V
Courant direct moyen60A
Configuration diodeDouble cathode commune
Type de boîtier de diodeTO-263AB
Nombre de broches3Broche(s)
Tension directe max790mV
Courant de surtension vers l'avant320A
Température de fonctionnement max..150°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produitTMBS
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
VB60100C-E3/4W is a dual high voltage TMBS® (trench MOS barrier schottky) rectifier. Typical application includes for use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters, and reverse battery protection.
- Low forward voltage drop, low power losses
- High efficiency operation
- Low thermal resistance
- Maximum repetitive peak reverse voltage is 100V (TA = 25°C)
- Maximum average forward rectified current is 30A (TA = 25°C, per diode), IFSM is 30A (TA = 25°C)
- Non-repetitive avalanche energy at TJ = 25°C, L = 140mH per diode is 450mJ
- Peak repetitive reverse current at tp = 2μs, 1KHz, TJ = 38°C ± 2°C per diode is 1.0A (TA = 25°C)
- Voltage rate of change (rated VR) is 10000V/μs (TA = 25°C)
- Minimum breakdown voltage is 100V (IR = 1.0mA, TA = 25°C)
- TO-263AB package, operating junction and storage temperature range from -40 to +150°C
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
100V
Configuration diode
Double cathode commune
Nombre de broches
3Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
320A
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
-
Courant direct moyen
60A
Type de boîtier de diode
TO-263AB
Tension directe max
790mV
Température de fonctionnement max..
150°C
Gamme de produit
TMBS
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.09
Traçabilité des produits