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SUM110P08-11L-E3
MOSFET de puissance, Canal P, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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|---|---|
| 1+ | 4,450 € |
| 10+ | 3,200 € |
| 100+ | 2,290 € |
| 500+ | 2,020 € |
| 1000+ | 1,740 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUM110P08-11L-E3
Code Commande1839009
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id110A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0112ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance375W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Le SUM110P08-11L-E3 est un MOSFET de puissance canal P TrenchFET® avec température d'utilisation de 175°C
- Tension Grille/Source ±20V
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
110A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
375W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0112ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002467