Imprimer la page
SQJ952EP-T1_GE3
MOSFET double, Canal N, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ952EP-T1_GE3
Code Commande3772870
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
8 185 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,660 € |
| 10+ | 1,060 € |
| 100+ | 0,784 € |
| 500+ | 0,592 € |
| 1000+ | 0,496 € |
| 5000+ | 0,463 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,66 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ952EP-T1_GE3
Code Commande3772870
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N60V
Tension drain source Vds, Canal P60V
Courant de drain continu Id, Canal N23A
Courant de drain continu Id, Canal P23A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.012ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.012ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Nombre de broches4Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P25W
Dissipation de puissance, Canal P25W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
60V
Courant de drain continu Id, Canal P
23A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.012ohm
Nombre de broches
4Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
25W
Gamme de produit
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tension Drain Source Vds, Canal N
60V
Courant de drain continu Id, Canal N
23A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.012ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Dissipation de puissance Canal P
25W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits