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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ431EP-T1_GE3
Code Commande2617107
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..200V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.178ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance83W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitTrenchFET
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
83W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tension Vds max..
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.178ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000156