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SQD50N04-5M6_GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Montage en surface
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD50N04-5M6_GE3
Code Commande3929241
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
25 En Stock
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|---|---|
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD50N04-5M6_GE3
Code Commande3929241
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id50A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0046ohm
Type de boîtier de transistorTO-252AA
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance71W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
50A
Type de boîtier de transistor
TO-252AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
71W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0046ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001