Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS26LDN-T1-GE3
Code Commande3104160
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
15 775 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 1,380 € |
10+ | 0,974 € |
100+ | 0,759 € |
500+ | 0,643 € |
1000+ | 0,524 € |
5000+ | 0,493 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,38 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS26LDN-T1-GE3
Code Commande3104160
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id81.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0034ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance57W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
81.2A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
57W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0034ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.009
Traçabilité des produits