Imprimer la page
SISF02DN-T1-GE3
MOSFET double, Canal N, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISF02DN-T1-GE3
Code Commande3128861
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
1 010 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,820 € |
| 10+ | 1,120 € |
| 100+ | 0,847 € |
| 500+ | 0,805 € |
| 1000+ | 0,728 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,82 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISF02DN-T1-GE3
Code Commande3128861
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N25V
Tension drain source Vds, Canal P25V
Courant de drain continu Id, Canal N60A
Courant de drain continu Id, Canal P60A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0027ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.0027ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P69.4W
Dissipation de puissance, Canal P69.4W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Series
Qualification-
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
25V
Courant de drain continu Id, Canal P
60A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.0027ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
69.4W
Gamme de produit
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
25V
Courant de drain continu Id, Canal N
60A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0027ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Dissipation de puissance Canal P
69.4W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.015
Traçabilité des produits