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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS932EDN-T1-GE3
Code Commande2846633
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N6A
Courant de drain continu Id, Canal P6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.018ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.018ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P23W
Dissipation de puissance, Canal P23W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.018ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
23W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.018ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Dissipation de puissance Canal P
23W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000074
Traçabilité des produits