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SIS434DN-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 35 A, 0.0063 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,472 € |
| 9000+ | 0,413 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 416,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS434DN-T1-GE3
Code Commande4320175
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..40V
Courant de drain Id35A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0063ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.2V
Dissipation de puissance3.8W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
35A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
3.8W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0063ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.2V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000164
Traçabilité des produits