Imprimer la page
SIRB40DP-T1-GE3
MOSFET double, Canal N, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRB40DP-T1-GE3
Code Commande3772837
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
14 977 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,390 € |
| 10+ | 1,090 € |
| 100+ | 0,800 € |
| 500+ | 0,635 € |
| 1000+ | 0,567 € |
| 5000+ | 0,513 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,39 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRB40DP-T1-GE3
Code Commande3772837
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N40V
Tension drain source Vds, Canal P40V
Courant de drain continu Id, Canal N40A
Courant de drain continu Id, Canal P40A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0027ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.0027ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P46.2W
Dissipation de puissance, Canal P46.2W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
40V
Courant de drain continu Id, Canal P
40A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.0027ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
46.2W
Gamme de produit
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain Source Vds, Canal N
40V
Courant de drain continu Id, Canal N
40A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0027ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Dissipation de puissance Canal P
46.2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits