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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,440 € |
| 10+ | 1,910 € |
| 100+ | 1,500 € |
| 500+ | 1,220 € |
| 1000+ | 1,120 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA99DP-T1-GE3
Code Commande3128845
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id195A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0013ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance104W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
195A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
104W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0013ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.015
Traçabilité des produits