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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR870BDP-T1-RE3
Code Commande3397321RL
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
5 356 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
100+ | 0,961 € |
500+ | 0,828 € |
1000+ | 0,812 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR870BDP-T1-RE3
Code Commande3397321RL
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id81A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0061ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance100W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
81A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
100W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0061ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000172
Traçabilité des produits