Imprimer la page
SIR470DP-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 60 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
9 619 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,260 € |
| 10+ | 1,870 € |
| 100+ | 1,390 € |
| 500+ | 1,170 € |
| 1000+ | 1,090 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
2,26 € (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR470DP-T1-GE3
Code Commande2335403
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id60A
Résistance Drain-Source à l'état-ON2300µohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance104W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SIR470DP-T1-GE3 est un MOSFET de puissance à mode d'enrichissement à canal N TrenchFET® 40VDS convient aux applications de redressement synchrone côté secondaire et aux alimentations.
- Testé 100% Rg
- Testé UIS 100%
- Sans halogène
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
60A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
104W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2300µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR470DP-T1-GE3
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits