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|---|---|
| 1+ | 3,480 € |
| 10+ | 2,250 € |
| 100+ | 2,100 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP22N60E-GE3
Code Commande2364084
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id21A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.18ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance227W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- MOSFET de puissance série E
- Faible facteur de mérite (FOM) Ron x Qg
- Faible capacité d'entrée (Ciss
- Réduction des pertes de commutation et de conduction
- Charge de grille ultrafaible (Qg)
- Énergie avalanche (UIS)
- Utilisé dans SMPS, PFC et éclairage
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
21A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
227W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.18ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHP22N60E-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002873
Traçabilité des produits