Imprimer la page
1 505 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,520 € |
| 10+ | 0,883 € |
| 100+ | 0,843 € |
| 500+ | 0,732 € |
| 1000+ | 0,689 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
1,52 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP12N50E-GE3
Code Commande2471942
Gamme de produitE
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id10.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.38ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance114W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitE
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SIHP12N50E-GE3 est un MOSFET de puissance à mode d'amélioration, canal N, série E, adapté à l'informatique, à l'éclairage, à l'électronique grand public, aux alimentations à découpage et aux applications de topologie à commutation matérielle.
- Faible facteur de mérite (FOM) Ron x Qg
- Faible capacité d'entrée (CISS)
- Commutation réduite
- Réduction des pertes de conduction
- Faible charge de porte (Qg)
- Énergie avalanche (UIS)
- Sans halogène
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
10.5A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
114W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.38ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
E
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHP12N50E-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002159
Traçabilité des produits